Группа китайских ученых из Университета Цинхуа в Пекине, представила первую в мире гибкую резистентную оперативную память, созданную на основе жидкого галлия и получившую название FlexRAM. Об этом сообщает RuNews24.

По данным источника, устройство представляет собой альтернативу традиционным транзисторам и обладает рядом уникальных характеристик.

- Отличительной особенностью новой оперативной памяти является способность сохранять 8 байт данных в одной «капле» ОЗУ. Хотя это значение значительно меньше, чем у стандартной динамической оперативной памяти (DRAM), FlexRAM способна удивительно сохранять данные до 12 часов даже при выключенном состоянии устройства, - пишет источник.

Данная жидкая оперативная память обладает ограничением по количеству циклов перезаписи, оцененным в 3500. Несмотря на это ограничение, эксперты увидели в FlexRAM значительный потенциал для применения в миниатюрных устройствах, таких как гаджеты. Подобная форма оперативной памяти может стать перспективным решением для производителей роботов и других футуристических устройств.