Китайские учёные из Фуданьского университета разработали прототип флеш-памяти нового поколения, способной записывать один бит информации всего за 400 пикосекунд. Об этом сообщает информагентство ТАСС.

Технология, получившая название PoX, основана на графеновом канале с двумерной структурой Дирака. По словам разработчиков, новая память по скорости работы обходит даже передовые типы оперативной памяти — DRAM и SRAM, которым для записи одного бита требуется от 1 до 10 наносекунд. При этом PoX, в отличие от ОЗУ, сохраняет данные без подачи питания, сочетая энергоэффективность флеш-накопителей с рекордной скоростью записи.

Эта разработка может стать базой для создания энергонезависимых и сверхбыстрых систем хранения данных, необходимых, в частности, для ИИ-устройств нового поколения.